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单晶硅片与多晶硅片的硬度大小关系
编辑:扬州市俊杰新能源材料有限公司   时间:2017-03-08

当接触深度在20~32nm左右时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成直线关系,硬度和弹性模量基本保持不变,此时所测得的是单晶硅片表面氧化层的硬度和弹性模量,分别约为10.2 GPa和140.3 GPa。当接触深度在32~60nm左右时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成非直线关系,硬度和弹性模量随接触深度急剧增加,表明单晶硅片表面氧化层的硬度和弹性模量受到了基体材料的影响。当接触深度在60nm以上时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成直线关系,硬度和弹性模量基本保持不变,测得值为单晶硅的硬度和弹性模量,分别约为12.5GPa和165.6GPa。

多晶硅片,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。它属于排列无序,在自然界中相对更加稳定,硬度较低。多晶硅片的硬度是莫氏硬度7。单晶硅片是定向生长的,因此Si排列方向一致,有序,硬度相应会增加。

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