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多晶硅片与单晶硅片的性能差异对比
编辑:扬州市俊杰新能源材料有限公司   时间:2017-03-07

单多晶硅片性能对比
单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面有显著差异。单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面,单晶是直拉提升法,多晶是铸锭方法,后端制造工艺只有一些细微差别。 

 晶体品质差异
硅片性质的差异性是决定单晶和多晶系统性能差异的关键。单晶硅片,是一种完整的晶格排列;多晶硅片,它是多个微小的单晶的组合,中间有大量的晶界,包含了很多的缺陷,它实际上是一个少子复合中心,因此降低了多晶电池的转换效率。另一方面,单晶硅片的位错密度和金属杂质比多晶硅片小得多,各种因素综合作用使得单晶的少子寿命比多晶高出数十倍,从而表现出转换效率优势。

电学性能差异
单晶硅片的少子寿命是明显高于多晶硅片的。

转换效率对比
影响转换效率的3项主要参数是:Voc(开路电压)、Isc(短路电流)、FF(填充因子),公式为:Eta=Voc×Isc×FF
从光电转换效率参数分解来看,单晶硅片的电池的各项参数全面领先于多晶硅片的。

一般来讲目前工艺下国内单晶电池量产效率是19.55%左右,做得好的话可以达到19.8%-19.9%,取决于它是三栅线还是四栅线;多晶电池量产效率一般是18.12%左右。

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